近期，有关日本芯片制造商Rapidus在2纳米工艺领域取得进展的消息引起了业界的广泛关注。据知情人士Kurnal透露，Rapidus分享的其2nm尖端节点2HP的数据显示，在逻辑密度方面，该工艺达到了237.31 MTr/mm²，与台积电同代制程N2的236.17 MTr/mm²相比，几乎难分伯仲。
Rapidus的这一数据表现，标志着其在芯片制造的面积效率（Area）方面达到了业界领先水平。然而，要全面评估一个制程技术的优劣，还需考虑功耗（Power）和性能（Performance）两大因素。目前，Rapidus在这两方面的数据尚未公布，因此无法对其综合性能做出最终判断。
值得注意的是，由于英特尔在Intel 18A节点引入了BSPDN背面供电技术，这一创新对芯片设计产生了显著影响，使得其逻辑密度无法直接与未采用BSPDN技术的2nm系列制程进行比较。这也进一步凸显了不同厂商在先进制程技术上的差异化发展路径。
尽管如此，Rapidus在2nm GAA晶圆试制方面已取得了实质性进展。据悉，该公司已于今年7月成功完成了首块2nm GAA晶圆的试制工作，并计划到2027年实现每月25000片晶圆（WPM）规模的量产。这一目标的实现，将为Rapidus在全球芯片市场中的竞争力注入强劲动力。
在先进制程节点的商业化成功中，良率和生产效率同样扮演着至关重要的角色。Rapidus深知这一点，因此在推进量产计划的同时，也在不断优化生产工艺和提升良率，以确保其2nm制程技术能够在市场上取得预期的成功。
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